<匯港通訊> 花旗發表報告，修訂了 DRAM(動態隨機存取記憶體)和 NAND(快閃記憶體)的供需展望，以反映2026年第三季的財報發布情況及近期市場動態。 該行稱，鑑於三星(Samsung)和海力士(Hynix)等全球記憶體供應商上調了比特增長(bit growth)指引，受供應指引上調及消費類 NAND 需求疲軟的影響，該行預計2027年 DRAM 的供需缺口將從-8.7%收窄至-3.8%。 儘管如此，由於伺服器 DRAM 和企業級固（eSSD)需求的強勁增長(預計2027年同比分別增長53%和52%)，記憶體需求仍超過了新增供應量；目前，記憶體供需滿足率(S/D fulfillment ratio)維持在約70%的水平。花旗預計，2027年記憶體市場仍將持續處於供不應求的狀態。 （BC) #花旗
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