路透引述消息人士報道，內地存儲晶片巨頭長鑫科技計劃開始生產HBM3E高帶寬內存(HBM)，儘管目前該產品良率低至約20%。 知情人士透露，長鑫科技已向多家國內AI晶片設計公司提供HBM3E樣品，預計將在未來兩個月內開始小批量生產。樣品為兩種版本的HBM3E，一種採用標準設計，另一種則是經過調整、旨在提高良率的改進版本。HBM3E主要與人工智能(AI)處理器搭配使用。 消息人士稱，長鑫HBM3E晶片良率僅約20%到30%，而市場龍頭南韓SK海力士的良率則在70%左右。儘管良率較低，長鑫科技仍在推進生產投產計劃，因中國AI晶片製造商難以獲得足夠的先進存儲晶片來擴大產量。低良率會推高生產成本，因為大量晶片必須報廢或返工。 據報，長鑫科技的HBM3E預計價格將高於海外競爭對手的同類產品。在測試中，長鑫科技的HBM3E性能更接近SK海力士上一代的HBM3，而非該南韓公司的HBM3E。 南韓三星電子早前表示，已擴大HBM4的銷售規模，並向主要客戶發出HBM4E樣品，這意味着長鑫科技在商用HBM生產方面至少落後一代。 (WL)
<匯港通訊>